Icp drie
Equipo- Iones de argón de 350mm de haz ancho- Capacidad de energía de gran rango (50V a 800V)- Alta uniformidad y alta colimación- Pulverización física pura de cualquier material- Fijación de sustrato a baja temperatura (<90°C)- Espectroscopia de masas de iones secundarios- Ubicación: Zona 11 Documentación- ManualResponsablesJ. PernolletO. AsteC. HibertR. Juttin
Equipo- Grabador de plasma ICP de doble fuente- Obleas de 100 mm, cargador de cassettes- Química de flúor- Sujeción electrostática- Grabado de Si en masa y en capa fina- Grabado profundo de Si (proceso Bosch)- Procesamiento de SOI sin muescas- Ubicación: Zona 2Documentación- ManualResponsablesJ. PernolletO. AsteC. HibertR. Juttin
Equipo- Grabador de plasma ICP para obleas de 100mm- Química de flúor- Sujeción electrostática- Equipo no compatible con la microelectrónica- Grabado de Si a granel y de películas finas- Grabado profundo de Si (proceso Bosch)- Procesamiento de SOI sin muescas- Ubicación: Zona 2 Documentación- Manual- Grabado de Si SPCResponsablesJ. PernolletO. AsteC. HibertR. Juttin
Equipamiento- Decapador de plasma de barril- Química del oxígeno- Equipo compatible con la microelectrónica- Decapado de polímeros- Descontaminación antes del grabado húmedo- Ubicación: Zona 2 Documentación- ManualResponsablesJ. PernolletC. HibertR. Juttin
Avances recientes en el grabado iónico reactivo y aplicaciones de la microfabricación de alta relación de aspecto
El grabado isotrópico incluye todos los procesos de grabado con velocidades de grabado iguales para todas las direcciones espaciales. Los procesos de grabado isotrópico están controlados por procesos de transporte con una velocidad de transporte independiente de la dirección (el caso más frecuente de grabado isotrópico) o por procesos superficiales en el caso de la eliminación de materiales construidos completamente isotrópicos. El grabado isotrópico incluye tanto procesos químicos húmedos como procesos de grabado en seco.
El grabado microlitográfico representa una clase de procesos clave de la tecnología planar. El grabado juega un papel muy importante en la tecnología de microsistemas y en la fabricación de circuitos integrados. Todos los procesos de grabado se aplican para eliminar el material de las películas sólidas con el fin de generar pequeñas estructuras bien definidas de material funcional. Por lo tanto, el grabado microlitográfico es una de las denominadas técnicas de microperforación sustractiva. En este proceso, en primer lugar, una película completa de un determinado material (funcional…
Grabado iónico reactivo profundo
La fabricación de un circuito integrado (CI) requiere una serie de procesos físicos y químicos realizados sobre un sustrato semiconductor (por ejemplo, el silicio). En general, los distintos procesos utilizados para fabricar un CI se dividen en tres categorías: deposición de películas, modelado y dopaje de semiconductores. Para conectar y aislar los transistores y sus componentes se utilizan películas conductoras (como el polisilicio, el aluminio y, más recientemente, el cobre) y aislantes (diversas formas de dióxido de silicio, nitruro de silicio y otras). El dopaje selectivo de varias regiones del silicio permite modificar su conductividad con la aplicación de voltaje. Mediante la creación de estructuras de estos diversos componentes se pueden construir millones de transistores y conectarlos entre sí para formar los complejos circuitos de un dispositivo microelectrónico moderno. En todos estos procesos es fundamental la litografía, es decir, la formación de imágenes tridimensionales en relieve sobre el sustrato para la posterior transferencia del patrón al mismo.
Maquinas para revelado de grabado de polimeros en línea
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El grabado iónico reactivo (RIE) es una tecnología de grabado utilizada en la microfabricación. El RIE es un tipo de grabado en seco que tiene características diferentes al grabado en húmedo. El RIE utiliza un plasma químicamente reactivo para eliminar el material depositado en las obleas. El plasma se genera a baja presión (vacío) mediante un campo electromagnético. Los iones de alta energía del plasma atacan la superficie de la oblea y reaccionan con ella.
Un sistema RIE típico (de placas paralelas) consiste en una cámara de vacío cilíndrica, con un plato de obleas situado en la parte inferior de la cámara. El plato de obleas está aislado eléctricamente del resto de la cámara. El gas entra a través de pequeñas entradas en la parte superior de la cámara, y sale al sistema de la bomba de vacío a través de la parte inferior. Los tipos y la cantidad de gas utilizados varían en función del proceso de grabado; por ejemplo, el hexafluoruro de azufre se utiliza habitualmente para el grabado del silicio. La presión del gas se mantiene normalmente en un rango entre unos pocos militorr y unos cientos de militorr ajustando los caudales de gas y/o ajustando un orificio de escape.